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1、工程實際中,輸電線路和高壓電器外絕緣在交流電壓下的擊穿發(fā)生在()。
A.正半波
B.負半波
C.工頻過零點
D.正負半波都可能發(fā)生
2、以下帶電質(zhì)點的產(chǎn)生和消失形式中哪些可能是促進放電發(fā)展的()。
A.定向運動
B.擴散
C.復合
D.負離子的形成
3、對于中性點不接地的變壓器星形繞組,如果兩相同時進入侵入波U,在振蕩過程中出現(xiàn)的中性點最大對地電位為()。
A.2U/3
B.4U/3
C.2U
D.8U/3
4、50Ω,假設有一無窮長指教電壓波30kv從線路1向線路2傳播,在A點形成的折射波Uq和反射波Uf分別為()。
A.Uq=20kV,Uf=10kV
B.Uq=20kV,Uf=-10kV
C.Uq=40Kv,Uf=10kV
D.Uf=10kV,Uf=-10kV
5、氣體放電的流注理論基本觀點有()。
A.空間電荷畸變電場分布
B空間光電離產(chǎn)生二次電子崩
C.陰極表面電子發(fā)射維持放電發(fā)展
D適用于解釋大氣壓長空氣間隙氣體放電
參考答案;
1.答案:【A】
高頓教育解析:
設備絕緣中與空氣接觸的部分叫外絕緣,而不與空氣接觸的部分叫內(nèi)絕緣。(在設計絕緣時,都使外絕緣強度低于內(nèi)絕緣強度,這是因為外絕緣有一定的自然恢復,而內(nèi)絕緣水平不受空氣濕度與表面臟污的影響,相對比較穩(wěn)定,但自然恢復能力較差,一旦絕緣水平下降,勢必影響安全運行)
輸電線路外絕緣和高壓電器的外絕緣都屬于極不均勻電場分布,在估算“導線-大地”氣隙的擊穿電壓時應采用“棒一板”氣隙的實驗數(shù)據(jù)。輸電線路和高壓電器外絕緣形成的不均勻電場可以看成是“棒一板”氣隙。
在工頻交流電壓下測量氣隙的擊穿電壓時,通常是將電壓慢慢升高,直至發(fā)生擊穿。升壓的速率一般控制在每秒升高預期擊穿電壓值的3%左右。在這樣的情況下,“棒-板”氣隙的擊穿總是發(fā)生在棒極為正極性的那半周的峰值附近,可見其工頻擊穿電壓的峰值一定與正極性直流擊穿電壓相近,甚至稍小,這可以解釋為:棒極附近空間電場會因上一半波電壓所遺留下來的電荷而加強。
所以正確答案是A。
【考點】
外絕緣、交流電壓下的擊穿
2.答案:【C】
高頓教育解析:
帶電粒子消失:
1)帶電粒子在電場的驅(qū)動下作定向運動在到達電極時消失于電極上面形成外電路中的電流。
2)帶電粒子因擴散現(xiàn)象而逸出氣體放電空間。
3)帶電質(zhì)點復合。
帶電質(zhì)點復合
正離子和負離子或電子相遇,發(fā)生電荷的傳遞而互相中和、還原為分子的過程。正、負離子間的復合概率比離子和電子間的復合概率大得多。游離主要發(fā)生在強電場,高能量區(qū),復合發(fā)生在低電場,低能量區(qū)。復合過程要阻礙放電的發(fā)展,但在一一定條件下又可因復合時的光輻射加劇放電的發(fā)展。
帶電質(zhì)點擴散:
帶電質(zhì)點的擴散和氣體分子的擴散一樣,都是由于熱運動造成,帶電質(zhì)點的擴散規(guī)律和氣體的擴散規(guī)律也是相似的。電子的質(zhì)量遠小于離子,所以電子的熱運動速度很高,它在熱運動中受到的碰撞也較少,因此,電子的擴散過程比高子的要強得多(電子擴散比離子擴散高3個數(shù)量級)。氣體中帶電質(zhì)點的擴散和氣體狀態(tài)有關,氣體壓力越高或者溫度越低,擴散過程也就越弱。
負離子的形成:
附著效應,電子和氣體分子碰撞非但沒有電離出新電子,反而是附著于分子,形成負離子。負離子的形成起著阻礙放電的作用。
有些氣體形成負離子時可釋放出能量。這類氣體容易形成負離子,稱為電負性氣體。(如氧、氟、氯、水蒸氣、SFg等)。氫氣和氨氣不會形成負離子。
電子附著系數(shù):電子行經(jīng)單位距離時附著于中性原子的電子數(shù)目。
所以正確答案是C。
【考點】
定向運動、擴散、復合、負離子的形成
3.答案:【B】
高頓教育解析:
三星形繞組中性點不接地,中性點最大對地電位:
單相進波,中性點最大對地電位不超過(2U0/3);兩相進波,中性點最大對地電位不超過(4U0/3);三相進波,與單相繞組末端不接地的波過程相同,中性點最高對地電位可達首端電壓的2倍(2U0)。
中性點的穩(wěn)態(tài)電壓:
單相進波,中性點的穩(wěn)態(tài)電壓為(Uo/3)。兩相進波,中性點的穩(wěn)態(tài)電壓為(2U0/3)。三相進波,中性點的穩(wěn)態(tài)電壓為(U0)。
所以答案為B。
【考點】
中性點最大對地電位
4.答案:【B】
5.答案:【ABD】
高頓教育解析:
流注理論:
流注:這些電離強度和發(fā)展速度遠大于初始電子崩的新放電區(qū)(二次電子崩)以及它們不斷匯人初崩通道的過程。在初始階段,氣體放電以碰撞電離和電子崩的形式出現(xiàn),但當電子崩發(fā)展到一定程度后,某一初始電子崩的頭部積聚到足夠數(shù)量的空間電荷,就會引起新的強烈電離和二次電子崩。這種強烈的電離和二次電子崩是由于空間電荷使局部電場大大增強以及發(fā)生空間光電離的結(jié)果,這時放電即轉(zhuǎn)入新的流注階段。流注的特點:電離強度很大和傳播速度很快(超過初崩發(fā)展速度l0倍以上),出現(xiàn)流注后,放電便獲得獨立繼續(xù)發(fā)展的能力,而不再依賴外界電離因子的作用,可見這時出現(xiàn)流注的條件也就是自持放電條件。出現(xiàn)流注條件:起始電子崩頭部電荷數(shù)量足以畸變電場造成足夠的空間光電離。(放電發(fā)展的維持條件)
適用范圍:高氣壓、長間隙下,放電并不充滿整個電極空間的現(xiàn)象。流注理論的局限:當Pd較小時。此時,不產(chǎn)生流注,只能使用湯姆遜理論
“C.陰極表面電子發(fā)射維持放電發(fā)展”,是湯遜原理維持放電的條件。
所以答案為ABD。
【考點】
流注理論
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